Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
23 A
Tension Drain Source maximum
400 V
Type de boîtier
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
200 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
280 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.31mm
Longueur
15.87mm
Charge de Grille type @ Vgs
110 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
20.7mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 300 à 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 32,92
€ 1,317 Each (In a Tube of 25) (hors TVA)
25
€ 32,92
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VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
23 A
Tension Drain Source maximum
400 V
Type de boîtier
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
200 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
280 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.31mm
Longueur
15.87mm
Charge de Grille type @ Vgs
110 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
20.7mm
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