MOSFET Vishay canal N, TO-247AC 14 A 500 V, 3 broches

N° de stock RS: 541-0187PMarque: VishayN° de pièce Mfr: IRFP450LCPBF
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

14 A

Tension Drain Source maximum

500 V

Type de boîtier

TO-247AC

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

400 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

190 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Charge de Grille type @ Vgs

74 nC @ 10 V

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

15.87mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

5.31mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Hauteur

20.7mm

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 60,46

€ 6,05 Each (Supplied in a Bag) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal N, TO-247AC 14 A 500 V, 3 broches
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Paquet de production (Sac)

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Standard - each

Disponible en multiples de 1.

Production -

Disponible en multiples de 1.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 1
10€ 60,46
11€ 66,51
12€ 72,55
13€ 78,60
14€ 84,65
15€ 90,69
16€ 96,74
17€ 102,79
18€ 108,83
19€ 114,88
20€ 120,92
21€ 126,97
22€ 133,02
23€ 139,06
24€ 145,11

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19€ 114,88
20€ 120,92
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22€ 133,02
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24€ 145,11

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QuantitéPrix unitaire
10 - 24€ 6,05
25 - 49€ 5,61
50 - 99€ 5,27
100+€ 4,57

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N

Courant continu de Drain maximum

14 A

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Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

400 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

190 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Charge de Grille type @ Vgs

74 nC @ 10 V

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

15.87mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

5.31mm

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