Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Série
D Series
Type de boîtier
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
250 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
278 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.31mm
Longueur
15.87mm
Charge de Grille type @ Vgs
85 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
20.82mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, série D haute tension, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 51,99
€ 2,08 Each (In a Tube of 25) (hors TVA)
25
€ 51,99
€ 2,08 Each (In a Tube of 25) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
25
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 25 - 25 | € 2,08 | € 52,00 |
| 50 - 100 | € 1,955 | € 48,87 |
| 125+ | € 1,768 | € 44,21 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Série
D Series
Type de boîtier
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
250 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
278 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.31mm
Longueur
15.87mm
Charge de Grille type @ Vgs
85 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
20.82mm
Pays d'origine
China
Détails du produit


