TRANSISTOR MOSFET CANAL P - IRFP9140
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
21,2 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
200 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
180 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
15.87mm
Charge de Grille type @ Vgs
61 nC @ 10 V
Largeur
5.31mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Hauteur
20.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Prix sur demande
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
21,2 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
200 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
180 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
15.87mm
Charge de Grille type @ Vgs
61 nC @ 10 V
Largeur
5.31mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Hauteur
20.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C