Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
500 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
150000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
44 nC @ 10 V
Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
20.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 3,25
€ 3,25 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 3,25
€ 3,25 Each (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 3,25 |
| 10 - 49 | € 2,94 |
| 50 - 99 | € 2,77 |
| 100 - 249 | € 2,66 |
| 250+ | € 2,42 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
500 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
150000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
44 nC @ 10 V
Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
20.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit



