Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de conditionnement
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
600 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
180 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
140 nC V @ 10
Hauteur
20.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 600 à 1 000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 1,11
€ 1,11 Each (hors TVA)
Standard
1
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
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N
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de conditionnement
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
600 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
180 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
140 nC V @ 10
Hauteur
20.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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