Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
-16 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de boîtier
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
400 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
280 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
120 nF @ 10 V
Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
20.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 600 à 1 000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 4,15
€ 4,15 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 4,15
€ 4,15 Each (hors TVA)
Standard
1
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Quantité | Prix unitaire |
---|---|
1 - 9 | € 4,15 |
10 - 49 | € 3,98 |
50 - 99 | € 3,74 |
100 - 249 | € 3,32 |
250+ | € 3,11 |
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Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
-16 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de boîtier
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
400 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
280 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
120 nF @ 10 V
Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
20.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit