MOSFET Vishay canal N, TO-247AC 6,7 A 900 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
6.7 A
Tension Drain Source maximum
900 V
Type de boîtier
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1,6 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
190 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5.31mm
Charge de Grille type @ Vgs
200 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
20.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 600 à 1 000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Prix sur demande
1
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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2V
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Single
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Largeur
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Matériau du transistor
Si
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Longueur
15.87mm
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Hauteur
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