MOSFET Vishay canal N, DPAK (TO-252) 4,3 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4.3 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
540 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
8,3 nC @ 10 V
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
2.38mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Mode de canal
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Single
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Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
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Matériau du transistor
Si
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Hauteur
2.38mm
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