MOSFET Vishay canal N, DPAK (TO-252) 4,8 A 200 V, 3 broches

N° de stock RS: 812-0629Marque: VishayN° de pièce Mfr: IRFR220TRPBF
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

4.8 A

Tension Drain Source maximum

200 V

Type de boîtier

DPAK (TO-252)

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

800 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

42000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

6.22mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.73mm

Charge de Grille type @ Vgs

14 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

2.38mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 5,51

€ 0,551 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal N, DPAK (TO-252) 4,8 A 200 V, 3 broches
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Standard

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Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 10
10€ 5,51
20€ 11,03
30€ 16,54
40€ 22,06
50€ 27,57
60€ 33,09
70€ 38,60
80€ 44,12
90€ 49,63
100€ 51,82
110€ 57,00
120€ 62,18
130€ 67,36
140€ 72,55
150€ 77,73

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
10 - 90€ 0,551€ 5,52
100 - 240€ 0,518€ 5,18
250 - 490€ 0,468€ 4,68
500 - 990€ 0,441€ 4,41
1000+€ 0,414€ 4,14

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Mode de canal

Enrichissement

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2V

Dissipation de puissance maximum

42000 mW

Configuration du transistor

Single

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Largeur

6.22mm

Matériau du transistor

Si

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1

Longueur

6.73mm

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