MOSFET Vishay canal N, DPAK (TO-252) 4,8 A 200 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4.8 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
800 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
42000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
14 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Hauteur
2.38mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 51,03
€ 0,51 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
100
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,51 | € 5,10 |
| 250 - 490 | € 0,461 | € 4,61 |
| 500 - 990 | € 0,434 | € 4,34 |
| 1000+ | € 0,408 | € 4,08 |
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Type de montage
CMS
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3
Résistance Drain Source maximum
800 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
42000 mW
Configuration du transistor
Single
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±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Hauteur
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