MOSFET Vishay canal N, DPAK (TO-252) 2,4 A 500 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2.4 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 10 V
Largeur
6.22mm
Hauteur
2.39mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 75,58
€ 0,756 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 75,58
€ 0,756 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
100
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,756 | € 7,56 |
| 250 - 490 | € 0,656 | € 6,56 |
| 500 - 990 | € 0,625 | € 6,25 |
| 1000+ | € 0,509 | € 5,09 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2.4 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 10 V
Largeur
6.22mm
Hauteur
2.39mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.