MOSFET Vishay canal N, DPAK (TO-252) 5 A 500 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1,7 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
110000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
24 nC @ 10 V
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
2.38mm
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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CMS
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Mode de canal
Enrichissement
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2V
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Configuration du transistor
Single
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150 °C
Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
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