MOSFET Vishay canal P, DPAK (TO-252) 9,9 A 50 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
9.9 A
Tension Drain Source maximum
50 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
280 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
42000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
9,4 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
2.38mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 122,06
€ 1,221 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 122,06
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 1,221 | € 12,21 |
| 250 - 490 | € 1,169 | € 11,70 |
| 500 - 990 | € 1,041 | € 10,41 |
| 1000+ | € 0,975 | € 9,75 |
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VishayType de canal
P
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9.9 A
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50 V
Type de boîtier
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
280 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
42000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
9,4 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
2.38mm
Température de fonctionnement minimum
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