MOSFET Vishay canal P, DPAK (TO-252) 1,9 A 200 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
1.9 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
8,9 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.22mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Hauteur
2.38mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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2V
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Single
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Longueur
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1
Largeur
6.22mm
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Matériau du transistor
Si
Hauteur
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