MOSFET Vishay canal P, DPAK (TO-252) 3,6 A 200 V, 3 broches

N° de stock RS: 812-0654Marque: VishayN° de pièce Mfr: IRFR9220TRPBF
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

3.6 A

Tension Drain Source maximum

200 V

Type de boîtier

DPAK (TO-252)

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

1,5 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

42000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Matériau du transistor

Si

Largeur

6.22mm

Longueur

6.73mm

Charge de Grille type @ Vgs

20 nC @ 10 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Hauteur

2.38mm

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 6,81

€ 1,362 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal P, DPAK (TO-252) 3,6 A 200 V, 3 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

5

Disponible en multiples de 5
5€ 6,81
10€ 13,62
15€ 20,42
20€ 27,23
25€ 34,04
30€ 40,85
35€ 47,65
40€ 54,46
45€ 61,27
50€ 64,10
55€ 70,51
60€ 76,92
65€ 83,33
70€ 89,74
75€ 96,15

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QuantitéPrix unitairePar Bande
5 - 45€ 1,362€ 6,81
50 - 120€ 1,282€ 6,41
125 - 245€ 1,157€ 5,78
250 - 495€ 1,089€ 5,44
500+€ 1,023€ 5,11

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Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

3.6 A

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Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

1,5 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

42000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Matériau du transistor

Si

Largeur

6.22mm

Longueur

6.73mm

Charge de Grille type @ Vgs

20 nC @ 10 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Température de fonctionnement minimum

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Hauteur

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