MOSFET Vishay canal N, IPAK (TO-251) 2,6 A 200 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2.6 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
IPAK (TO-251)
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
8,2 nC @ 10 V
Largeur
2.38mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
6.22mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Prix sur demande
Standard
1
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Si
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