MOSFET Vishay canal N, IPAK (TO-251) 3,8 A 250 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3.8 A
Tension Drain Source maximum
250 V
Type de boîtier
IPAK (TO-251)
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1,1 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
42000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
14 nC V @ 10
Largeur
2.39mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
6.22mm
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Single
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Longueur
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Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
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