MOSFET Vishay canal P, IPAK (TO-251) 3,1 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3.1 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
IPAK (TO-251)
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1.2 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
8,7 nC @ 10 V
Largeur
2.38mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
6.22mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 1,70
€ 1,70 Each (hors TVA)
1
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 1,70 |
| 10 - 49 | € 1,53 |
| 50 - 99 | € 1,45 |
| 100 - 249 | € 1,27 |
| 250+ | € 1,19 |
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Largeur
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Si
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Longueur
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Température d'utilisation maximum
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Hauteur
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