MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 17 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
17 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
TO-220AB, TO-220FL
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
100 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
60000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
25 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 60 à 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 81,60
€ 0,816 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
100
€ 81,60
€ 0,816 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,816 | € 8,16 |
| 250 - 490 | € 0,782 | € 7,82 |
| 500 - 990 | € 0,694 | € 6,94 |
| 1000+ | € 0,651 | € 6,51 |
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N
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17 A
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-60 V
Type de boîtier
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Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
100 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
60000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
25 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Température de fonctionnement minimum
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