MOSFET Vishay canal N, HVMDIP 1,3 A 100 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.3 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
HVMDIP
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
270 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1.3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-10 V, +10 V
Charge de Grille type @ Vgs
12 nC @ 5 V
Largeur
6.29mm
Matériau du transistor
Si
Longueur
5mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
3.37mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Prix sur demande
Each (Supplied in a Bag) (hors TVA)
Paquet de production (Sac)
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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1V
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Largeur
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Matériau du transistor
Si
Longueur
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