MOSFET Vishay canal N, TO-220FP 9,9 A 200 V, 3 broches

N° de stock RS: 708-4872PMarque: VishayN° de pièce Mfr: IRLI640GPBF
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

9.9 A

Tension Drain Source maximum

200 V

Type de boîtier

A-220

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

180 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

40 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-10 V, +10 V

Charge de Grille type @ Vgs

66 nC @ 10 V

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

9.8mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 54,84

€ 2,193 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal N, TO-220FP 9,9 A 200 V, 3 broches
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Paquet de production (Tube)

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Standard - each

Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

25

Disponible en multiples de 5
25€ 54,84
30€ 65,80
35€ 76,77
40€ 87,74
45€ 98,71
50€ 103,19
55€ 113,51
60€ 123,83
65€ 134,15
70€ 144,47
75€ 154,79
80€ 165,11
85€ 175,43
90€ 185,75
95€ 196,07

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55€ 113,51
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75€ 154,79
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85€ 175,43
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QuantitéPrix unitairePar Tube
25 - 45€ 2,193€ 10,97
50 - 120€ 2,064€ 10,32
125 - 245€ 1,934€ 9,67
250+€ 1,807€ 9,04

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N

Courant continu de Drain maximum

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200 V

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3

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180 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

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1V

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40 W

Configuration du transistor

Single

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Charge de Grille type @ Vgs

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Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

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Température d'utilisation maximum

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Hauteur

9.8mm

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