Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.5 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
760 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
3,1 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-10 V, +10 V
Largeur
3.7mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
6,1 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Hauteur
1.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 58,19
€ 0,582 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 58,19
€ 0,582 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
100
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,582 | € 5,82 |
| 250 - 490 | € 0,549 | € 5,49 |
| 500 - 990 | € 0,516 | € 5,16 |
| 1000+ | € 0,425 | € 4,25 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.5 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
760 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
3,1 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-10 V, +10 V
Largeur
3.7mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
6,1 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Hauteur
1.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


