MOSFET Vishay canal N, SOT-223 1,5 A 100 V, 3 broches

N° de stock RS: 813-0714PMarque: VishayN° de pièce Mfr: IRLL110TRPBF
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

1.5 A

Tension Drain Source maximum

-100 V

Type de boîtier

SOT-223-5

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

760 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

3,1 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-10 V, +10 V

Largeur

3.7mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.7mm

Charge de Grille type @ Vgs

6,1 nC @ 5 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Matériau du transistor

Si

Hauteur

1.8mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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MOSFET Vishay canal N, SOT-223 1,5 A 100 V, 3+Tab broches
Prix ​​sur demandeEach (Supplied in a Bag) (hors TVA)

€ 58,19

€ 0,582 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Bobine
100 - 240€ 0,582€ 5,82
250 - 490€ 0,549€ 5,49
500 - 990€ 0,516€ 5,16
1000+€ 0,425€ 4,25

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N

Courant continu de Drain maximum

1.5 A

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Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

760 mΩ

Mode de canal

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Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

3,1 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-10 V, +10 V

Largeur

3.7mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.7mm

Charge de Grille type @ Vgs

6,1 nC @ 5 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Matériau du transistor

Si

Hauteur

1.8mm

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