Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
7,7 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
280 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-10 V, +10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
8,4 nC @ 5 V
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
2.38mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 60 à 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 8,64
€ 0,864 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 8,64
€ 0,864 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,864 | € 8,64 |
| 100 - 240 | € 0,821 | € 8,21 |
| 250 - 490 | € 0,691 | € 6,91 |
| 500 - 990 | € 0,649 | € 6,49 |
| 1000+ | € 0,603 | € 6,04 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
7,7 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
280 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-10 V, +10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
8,4 nC @ 5 V
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
2.38mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit


