Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4.3 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
IPAK (TO-251)
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
540 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-10 V, +10 V
Charge de Grille type @ Vgs
6,1 nC @ 5 V
Largeur
2.38mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
6.22mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 7,38
€ 1,475 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 7,38
€ 1,475 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,475 | € 7,38 |
| 50 - 120 | € 1,18 | € 5,90 |
| 125 - 245 | € 1,107 | € 5,54 |
| 250 - 495 | € 0,959 | € 4,80 |
| 500+ | € 0,889 | € 4,44 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4.3 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
IPAK (TO-251)
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
540 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-10 V, +10 V
Charge de Grille type @ Vgs
6,1 nC @ 5 V
Largeur
2.38mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
6.22mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


