MOSFET Vishay canal N, SC-75 630 mA 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
630 mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
SC-75
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
1,1 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
240 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Charge de Grille type @ Vgs
1,3 nC @ 8 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
1.68mm
Largeur
0.86mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
0.8mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 8 à 25 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 19,95
€ 0,10 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
200
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Paquet de production (Bobine)
200
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,10 | € 2,00 |
| 500 - 980 | € 0,089 | € 1,78 |
| 1000 - 1980 | € 0,077 | € 1,55 |
| 2000+ | € 0,076 | € 1,52 |
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VishayType de canal
N
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630 mA
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20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
SC-75
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
1,1 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
240 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Charge de Grille type @ Vgs
1,3 nC @ 8 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
1.68mm
Largeur
0.86mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
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