MOSFET Vishay canal P, SC-89-6 760 mA 30 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
760 mA
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SC-89-6
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
244 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.7V
Dissipation de puissance maximum
236 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Matériau du transistor
Si
Largeur
1.2mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Charge de Grille type @ Vgs
4,43 nC @ 4,5 V
Longueur
1.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
0.6mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 51,84
€ 0,259 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
200
€ 51,84
€ 0,259 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
200
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 200 - 980 | € 0,259 | € 5,18 |
| 1000 - 1980 | € 0,235 | € 4,70 |
| 2000 - 4980 | € 0,222 | € 4,43 |
| 5000+ | € 0,208 | € 4,16 |
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VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
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Type de boîtier
SC-89-6
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
244 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.7V
Dissipation de puissance maximum
236 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Matériau du transistor
Si
Largeur
1.2mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Charge de Grille type @ Vgs
4,43 nC @ 4,5 V
Longueur
1.7mm
Température de fonctionnement minimum
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Hauteur
0.6mm
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