MOSFET Vishay canal N/P, SOT-363 400 mA, 700 mA 20 V, 6 broches

N° de stock RS: 812-3094PMarque: VishayN° de pièce Mfr: SI1553CDL-T1-GE3
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N, P

Courant continu de Drain maximum

400 mA, 700 mA

Tension Drain Source maximum

20 V (canal N), -20 V (canal P)

Type de boîtier

SOT-363

Type de montage

CMS

Nombre de broche

6

Résistance Drain Source maximum

1,48 Ω, 578 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

0.6V

Dissipation de puissance maximum

340 mW

Configuration du transistor

Isolated

Tension Grille Source maximum

-12 V, +12 V

Nombre d'éléments par circuit

2

Longueur

2.2mm

Charge de Grille type @ Vgs

1,2 nC @ 10 V, 1,9 nC @ 10 V

Largeur

1.35mm

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

1mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET à double canal N/P, Vishay Semiconductors

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

€ 6,83

€ 0,341 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal N/P, SOT-363 400 mA, 700 mA 20 V, 6 broches
Sélectionner le type d'emballage

Paquet de production (Bobine)

Sélectionner le type d'emballage

Standard - each

Disponible en multiples de 20.

Production -

Disponible en multiples de 20.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

20

Disponible en multiples de 20
20€ 6,83
40€ 13,65
60€ 20,48
80€ 27,30
100€ 34,13
120€ 40,95
140€ 47,78
160€ 54,61
180€ 61,43
200€ 68,26
220€ 75,08
240€ 81,91
260€ 88,74
280€ 95,56
300€ 102,39

€ 6,83

€ 0,341 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal N/P, SOT-363 400 mA, 700 mA 20 V, 6 broches
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Sélectionner le type d'emballage

Paquet de production (Bobine)

Sélectionner le type d'emballage

Standard - each

Disponible en multiples de 20.

Production -

Disponible en multiples de 20.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

20

Disponible en multiples de 20
20€ 6,83
40€ 13,65
60€ 20,48
80€ 27,30
100€ 34,13
120€ 40,95
140€ 47,78
160€ 54,61
180€ 61,43
200€ 68,26
220€ 75,08
240€ 81,91
260€ 88,74
280€ 95,56
300€ 102,39

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Veuillez vérifier à nouveau plus tard.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N, P

Courant continu de Drain maximum

400 mA, 700 mA

Tension Drain Source maximum

20 V (canal N), -20 V (canal P)

Type de boîtier

SOT-363

Type de montage

CMS

Nombre de broche

6

Résistance Drain Source maximum

1,48 Ω, 578 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

0.6V

Dissipation de puissance maximum

340 mW

Configuration du transistor

Isolated

Tension Grille Source maximum

-12 V, +12 V

Nombre d'éléments par circuit

2

Longueur

2.2mm

Charge de Grille type @ Vgs

1,2 nC @ 10 V, 1,9 nC @ 10 V

Largeur

1.35mm

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

1mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET à double canal N/P, Vishay Semiconductors

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus