MOSFET Vishay canal N, SOT-363 1,3 A 20 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.3 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type d'emballage
SOT-363
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
263 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
1.25 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
2.2mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
1,6 nC @ 8 V
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N, Vishay Semiconductors
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 14,49
€ 0,29 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
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6
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
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1.25 W
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Isolated
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
2.2mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
1,6 nC @ 8 V
Largeur
1.35mm
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Si
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