MOSFET Vishay canal P, SOT-23 1.9 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
1.9 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
190 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
2 nC @ 4,5 V, 4 nC @ 10 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.02mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 7,97
€ 0,399 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
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1V
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Configuration du transistor
Single
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±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
2 nC @ 4,5 V, 4 nC @ 10 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
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