Transistor MOSFET Vishay canal N, TO-236 3,1 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3.1 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
47 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
0.75 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3.04mm
Largeur
1.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
3 nC @ 5 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.02mm
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
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VishayType de canal
N
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3.1 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
47 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
0.75 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3.04mm
Largeur
1.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
3 nC @ 5 V
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