MOSFET Vishay canal N, SOT-23 1,9 A 60 V, 3 broches

N° de stock RS: 710-3257Marque: VishayN° de pièce Mfr: SI2308BDS-T1-GE3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

1.9 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de boîtier

SOT-23, TO-236

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

156 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

1,09 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

3.04mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

1.4mm

Charge de Grille type @ Vgs

4,5 nF @ 10 V

Taille

1.02mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.2V

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, de 60 à 90 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 9,04

€ 0,452 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal N, SOT-23 1,9 A 60 V, 3 broches
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Standard

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Disponible en multiples de 20.

Production -

Disponible en multiples de 20.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

20

Disponible en multiples de 20
20€ 9,04
40€ 18,08
60€ 27,12
80€ 36,16
100€ 45,20
120€ 54,24
140€ 63,28
160€ 72,32
180€ 81,36
200€ 67,97
220€ 74,77
240€ 81,57
260€ 88,36
280€ 95,16
300€ 101,96

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
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200 - 480€ 0,34€ 6,80
500 - 980€ 0,316€ 6,31
1000 - 1980€ 0,272€ 5,43
2000+€ 0,225€ 4,51

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N

Courant continu de Drain maximum

1.9 A

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-60 V

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SOT-23, TO-236

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

156 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

1,09 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

3.04mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

1.4mm

Charge de Grille type @ Vgs

4,5 nF @ 10 V

Taille

1.02mm

Température de fonctionnement minimum

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