MOSFET Vishay canal P, SOT-23 4,3 A 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
4.3 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type d'emballage
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
75 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
1.7 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Largeur
1.4mm
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
24 nC @ 8 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.02mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 8 à 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
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€ 7,92
€ 0,396 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
20
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,396 | € 7,92 |
| 200 - 480 | € 0,293 | € 5,86 |
| 500 - 980 | € 0,246 | € 4,92 |
| 1000 - 1980 | € 0,218 | € 4,36 |
| 2000+ | € 0,158 | € 3,16 |
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VishayType de canal
P
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4.3 A
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20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type d'emballage
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
75 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
1.7 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Largeur
1.4mm
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
24 nC @ 8 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
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