MOSFET Vishay canal P, SOT-23 530 mA 150 V, 3 broches

N° de stock RS: 710-3263Marque: VishayN° de pièce Mfr: SI2325DS-T1-E3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

530 mA

Tension Drain Source maximum

150 V

Type de boîtier

SOT-23, TO-236

Type de fixation

CMS

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum

1,2 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2.5V

Dissipation de puissance maximum

0.75 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

7,7 nC @ 10 V

Largeur

1.4mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

3.04mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

1.02mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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MOSFET Vishay canal P, SOT-23 530 mA 150 V, 3 broches
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Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

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5

Disponible en multiples de 5
5€ 4,90
10€ 9,80
15€ 14,71
20€ 19,61
25€ 24,51
30€ 29,41
35€ 34,32
40€ 39,22
45€ 44,12
50€ 49,02
55€ 53,93
60€ 58,83
65€ 63,73
70€ 68,63
75€ 73,53

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3

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2.5V

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0.75 W

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Largeur

1.4mm

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Si

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Longueur

3.04mm

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