MOSFET Vishay canal N, SOT-23 1.15 A 100 V, 3 broches

N° de stock RS: 710-3266Marque: VishayN° de pièce Mfr: SI2328DS-T1-E3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

1.15 A

Tension Drain Source maximum

-100 V

Type de boîtier

SOT-23, TO-236

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

250 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

730 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

3.04mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Charge de Grille type @ Vgs

3,3 nC @ 10 V

Largeur

1.4mm

Taille

1.02mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 7,56

€ 0,756 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal N, SOT-23 1.15 A 100 V, 3 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 10
10€ 7,56
20€ 15,12
30€ 22,67
40€ 30,23
50€ 37,79
60€ 45,35
70€ 52,90
80€ 60,46
90€ 68,02
100€ 57,39
110€ 63,13
120€ 68,87
130€ 74,61
140€ 80,35
150€ 86,09

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
10 - 90€ 0,756€ 7,56
100 - 240€ 0,574€ 5,74
250 - 490€ 0,53€ 5,30
500 - 990€ 0,453€ 4,54
1000+€ 0,394€ 3,94

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3

Résistance Drain Source maximum

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Mode de canal

Enrichissement

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2V

Dissipation de puissance maximum

730 mW

Configuration du transistor

Single

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Matériau du transistor

Si

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1

Longueur

3.04mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Charge de Grille type @ Vgs

3,3 nC @ 10 V

Largeur

1.4mm

Taille

1.02mm

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