MOSFET Vishay canal N, SOT-23 1,15 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.15 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
250 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
730 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
3,3 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.02mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 983,03
€ 0,328 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Single
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Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
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1
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
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Hauteur
1.02mm
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