MOSFET Vishay canal N, SOT-23 1,15 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.15 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2,4 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
1.25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Largeur
1.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
1,45 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.02mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Mode de canal
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2V
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Single
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Si
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Longueur
3.04mm
Largeur
1.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
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Taille
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