MOSFET Vishay canal N, SOT-23 6 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
6 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
33 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
8,2 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Largeur
1.4mm
Hauteur
1.02mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 30 à 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
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€ 8,34
€ 0,417 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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20
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,417 | € 8,34 |
| 200 - 480 | € 0,322 | € 6,43 |
| 500 - 980 | € 0,30 | € 6,00 |
| 1000 - 1980 | € 0,27 | € 5,41 |
| 2000+ | € 0,251 | € 5,02 |
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N
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6 A
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Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
33 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
8,2 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Largeur
1.4mm
Hauteur
1.02mm
Température de fonctionnement minimum
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