Transistor MOSFET Vishay canal P, SOT-23 3.1 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3.1 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
53 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
0.75 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
14 nC V @ 10
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3.04mm
Largeur
1.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.02mm
Pays d'origine
China
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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P
Courant continu de Drain maximum
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Type de conditionnement
TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
53 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
0.75 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
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Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
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