MOSFET Vishay canal P, TSOP 6,2 A 12 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
6.2 A
Tension Drain Source maximum
12 V
Type de boîtier
TSOP I
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
68 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
3000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
20 nC @ 8 V
Largeur
1.7mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 8 à 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Prix sur demande
Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Standard
20
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Single
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Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
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1
Matériau du transistor
Si
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