MOSFET Vishay canal P, TSOP 7 A 30 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
7 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
TSOP I
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
53 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
4.2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
22 nC V @ 10
Largeur
1.7mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Prix sur demande
Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Standard
20
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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P
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Mode de canal
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1V
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Configuration du transistor
Single
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1
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Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
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Matériau du transistor
Si
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