MOSFET Vishay canal N, SOIC 20 A 40 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
9 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
5.7 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
5mm
Matériau du transistor
Si
Largeur
4mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Charge de Grille type @ Vgs
51 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.55mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 30 à 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 13,02
€ 1,302 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Standard
10
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 1,302 | € 13,02 |
| 50 - 90 | € 1,224 | € 12,24 |
| 100 - 240 | € 1,108 | € 11,08 |
| 250 - 490 | € 1,042 | € 10,42 |
| 500+ | € 0,977 | € 9,77 |
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N
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40 V
Type de boîtier
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
9 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
5.7 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
5mm
Matériau du transistor
Si
Largeur
4mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Charge de Grille type @ Vgs
51 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.55mm
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