Transistor MOSFET Vishay canal N, SOIC 7,5 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
7.5 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
14 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
1.4 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
13 nC @ 5 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5mm
Largeur
4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.55mm
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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CMS
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
14 mΩ
Mode de canal
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1.4 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
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