MOSFET Vishay canal N/P, SOIC 4,3 A, 6 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
4.3 A, 6 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
65 mΩ, 140 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2,78 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
6 nC @ 10 V, 7,8 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5mm
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Hauteur
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N/P, Vishay Semiconductors
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 11,70
€ 0,585 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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20
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,585 | € 11,70 |
| 200 - 480 | € 0,497 | € 9,95 |
| 500 - 980 | € 0,467 | € 9,35 |
| 1000 - 1980 | € 0,44 | € 8,79 |
| 2000+ | € 0,41 | € 8,19 |
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CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
65 mΩ, 140 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2,78 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
6 nC @ 10 V, 7,8 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5mm
Largeur
4mm
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Si
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Hauteur
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