Transistor MOSFET Vishay canal N/P, SOIC 4,4 A, 5 A 40 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
4.4 A, 5 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de conditionnement
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
70 Ω, 122 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
2,75 W, 2,95 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-16 V, +16 V
Charge de Grille type @ Vgs
12 nC @ 20 V, 8 nC @ 20 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5mm
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.5mm
Pays d'origine
China
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
4.4 A, 5 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de conditionnement
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
70 Ω, 122 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
2,75 W, 2,95 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-16 V, +16 V
Charge de Grille type @ Vgs
12 nC @ 20 V, 8 nC @ 20 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5mm
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.5mm
Pays d'origine
China
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.