MOSFET Vishay canal N, SOIC 6.5 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
6.5 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
18,5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
1.3 W
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Charge de Grille type @ Vgs
8,7 nC @ 5 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5mm
Largeur
4mm
Taille
1.55mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 30 à 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
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N
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SOIC W
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CMS
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
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Charge de Grille type @ Vgs
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1
Température d'utilisation maximum
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Longueur
5mm
Largeur
4mm
Taille
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