MOSFET Vishay canal P, SOIC 3,1 A 60 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3.1 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
150 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2.4 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
14,5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal P, Vishay Semiconductors
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 53,97
€ 1,079 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 53,97
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Paquet de production (Bobine)
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 1,079 | € 5,40 |
| 250 - 495 | € 0,878 | € 4,39 |
| 500 - 1245 | € 0,73 | € 3,65 |
| 1250+ | € 0,666 | € 3,33 |
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CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
150 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2.4 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
14,5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
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Taille
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Température de fonctionnement minimum
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