MOSFET Vishay canal P, PowerPAK 1212-8 9,6 A 30 V, 8 broches

N° de stock RS: 818-1380Marque: VishayN° de pièce Mfr: SI7121DN-T1-GE3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

9,6 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Type de conditionnement

PowerPAK 1212-8

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

26 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

27.8 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-25 V, +25 V

Longueur

3.15mm

Charge de Grille type @ Vgs

33 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

3.15mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Taille

1.07mm

Température de fonctionnement minimum

-50 °C

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 9,83

€ 0,983 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal P, PowerPAK 1212-8 9,6 A 30 V, 8 broches
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Standard

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Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 10
10€ 9,83
20€ 19,65
30€ 29,48
40€ 39,30
50€ 49,13
60€ 58,96
70€ 68,78
80€ 78,61
90€ 88,43
100€ 78,61
110€ 86,47
120€ 94,33
130€ 102,19
140€ 110,05
150€ 117,91

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
10 - 90€ 0,983€ 9,83
100 - 240€ 0,786€ 7,86
250 - 490€ 0,609€ 6,09
500 - 990€ 0,54€ 5,40
1000+€ 0,462€ 4,62

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P

Courant continu de Drain maximum

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PowerPAK 1212-8

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

26 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

27.8 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-25 V, +25 V

Longueur

3.15mm

Charge de Grille type @ Vgs

33 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

3.15mm

Matériau du transistor

Si

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1

Taille

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