MOSFET Vishay canal P, PowerPAK SO-8 18 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
18 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
PowerPAK SO-8
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
9,5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
48 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Longueur
5.99mm
Charge de Grille type @ Vgs
90 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5mm
Matériau du transistor
Si
Taille
1.07mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 12,04
€ 0,602 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
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20
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,602 | € 12,04 |
| 200 - 480 | € 0,572 | € 11,43 |
| 500 - 980 | € 0,482 | € 9,63 |
| 1000 - 1980 | € 0,452 | € 9,05 |
| 2000+ | € 0,422 | € 8,44 |
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P
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18 A
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Type de boîtier
PowerPAK SO-8
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
9,5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
48 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Longueur
5.99mm
Charge de Grille type @ Vgs
90 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5mm
Matériau du transistor
Si
Taille
1.07mm
Température de fonctionnement minimum
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